![IRFB7434PBF IRFB7434PBF](/img/to-220.jpg)
IRFB7434PBF Infineon
![Infineon-IRFB7434-DS-v01_02-EN.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 171783
Виробник: InfineonКорпус: TO-220AB
Uds,V: 40 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 1,25 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10820/216
Монтаж: THT
у наявності 212 шт:
188 шт - склад
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується 15 шт:
15 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 68.5 грн |
10+ | 61.4 грн |
100+ | 54.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB7434PBF за ціною від 58.87 грн до 203.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V |
на замовлення 531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 317A Power dissipation: 294W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 216nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 294W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 317A Power dissipation: 294W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 216nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Trade name: StrongIRFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
IRFB7434PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 11350 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
IRF1404PBF Код товару: 31360 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 581 шт
очікується:
23 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 48 грн |
10+ | 44 грн |
100+ | 39.6 грн |
IRFB3307ZPBF Код товару: 37782 |
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 120 A
Rds(on), Ohm: 5,8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4750/79
Монтаж: THT
у наявності: 102 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
220uF 50V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2008 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
очікується:
3000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 4.5 грн |
13+ | 4 грн |
100+ | 3.6 грн |
1000+ | 3.1 грн |
10uF 50V EXR 5x11mm (low imp.) (EXR100M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 14518 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1404 шт
очікується:
10300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
39+ | 1.3 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |