IRFB5620PBF Infineon Technologies
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 107.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB5620PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFB5620PBF за ціною від 82.93 грн до 226.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB5620PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Gate charge: 25nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 72.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET Audio MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Gate charge: 25nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A On-state resistance: 72.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF Код товару: 47564 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 60 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
 |
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFB5620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |