IRFB4710PBF
Код товару: 35455
Виробник: IRКорпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110
Монтаж: THT
у наявності 25 шт:
8 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 95 грн |
10+ | 88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4710PBF за ціною від 82.95 грн до 217.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4710PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 75 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB4710PBF | Виробник : International Rectifier Corporation | TO-220AB |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
IRFB4710PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRFB4710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRFB4710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRFB4710PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC |
товар відсутній |
||||||||||||||
IRFB4710PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 75A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 75A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF3710PBF Код товару: 43009 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 755 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
100+ | 32.4 грн |
Гніздо USBA-1J SMD (KLS1-181C) Код товару: 56604 |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Гніздо USB тип A на плату кутове; монтаж: SMT (поверхневий)
Тип: USB-A
Вилка/гніздо: Гніздо
Мех.монтаж: на плату
Електр.монтаж: SMD
Орієнтація в просторі: Горизонтальний
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Гніздо USB тип A на плату кутове; монтаж: SMT (поверхневий)
Тип: USB-A
Вилка/гніздо: Гніздо
Мех.монтаж: на плату
Електр.монтаж: SMD
Орієнтація в просторі: Горизонтальний
у наявності: 807 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 3.5 грн |
17+ | 3.1 грн |
100+ | 2.7 грн |
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2430 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 2.5 грн |
27+ | 1.9 грн |
100+ | 1.6 грн |
1000+ | 1.2 грн |
1 MOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-1M0-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2222 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 1 MOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 23230 шт
очікується:
530 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.1 грн |
1000+ | 0.06 грн |
10000+ | 0.04 грн |
2,2 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-2R2-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 2133 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 2,2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 2,2 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 11985 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 0.2 грн |
1000+ | 0.15 грн |
10000+ | 0.12 грн |