IRFB4510PBF

IRFB4510PBF Infineon


irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40
Код товару: 58620
Виробник: Infineon
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
Монтаж: THT
у наявності 274 шт:

179 шт - склад
54 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+35 грн
10+ 31.5 грн
100+ 27.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFB4510PBF за ціною від 40.7 грн до 131.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+64.41 грн
200+ 61.36 грн
229+ 53.51 грн
238+ 49.64 грн
500+ 41.77 грн
Мінімальне замовлення: 190
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
160+76.71 грн
189+ 64.99 грн
500+ 57.36 грн
Мінімальне замовлення: 160
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+81.88 грн
180+ 68.2 грн
500+ 59.55 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+101.16 грн
10+ 71.23 грн
100+ 60.35 грн
500+ 51.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.08 грн
10+ 63.19 грн
15+ 58.05 грн
41+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 2794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.93 грн
10+ 89.13 грн
100+ 69.35 грн
500+ 55.17 грн
1000+ 44.94 грн
2000+ 42.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.33 грн
10+ 76.03 грн
100+ 63.33 грн
500+ 53.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFB4510_DataSheet_v01_01_EN-3363086.pdf MOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.68 грн
10+ 76.98 грн
100+ 55.51 грн
500+ 49.8 грн
1000+ 42.89 грн
5000+ 41.05 грн
10000+ 40.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.49 грн
10+ 78.75 грн
15+ 69.66 грн
41+ 66.13 грн
100+ 65.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : INFINEON 1627131.pdf Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+131.36 грн
10+ 90.21 грн
100+ 68.37 грн
500+ 54.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFB4510PBF irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 IRFB4510PBF Транзисторы
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Виробник : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

MBR20100CTG
Код товару: 26154
description MBR20100CT.pdf
MBR20100CTG
Виробник: ON/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 737 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+26 грн
10+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9540NPBF
Код товару: 31944
irf9540npbf.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 377 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+24.5 грн
10+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
BZX79-C15
Код товару: 24004
BZX79.pdf
BZX79-C15
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 1894 шт
Кількість Ціна без ПДВ
25+2 грн
39+ 1.3 грн
100+ 1 грн
1000+ 0.8 грн
Мінімальне замовлення: 25
LTV817S-TA1 [C]
Код товару: 31279
ltv817s-ta1.pdf
LTV817S-TA1 [C]
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 9306 шт
Кількість Ціна без ПДВ
9+6 грн
10+ 5.4 грн
100+ 4.9 грн
1000+ 4.4 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLML9301TRPBF
Код товару: 34218
irlml9301pbf-datasheet.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
Кількість Ціна без ПДВ
9+6 грн
11+ 4.7 грн
Мінімальне замовлення: 9