IRFB4510PBF Infineon
Код товару: 58620
Виробник: InfineonUds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
Монтаж: THT
у наявності 274 шт:
179 шт - склад
54 шт - РАДІОМАГ-Київ
13 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 35 грн |
10+ | 31.5 грн |
100+ | 27.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFB4510PBF за ціною від 40.7 грн до 131.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V |
на замовлення 2794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 528 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB4510PBF | IRFB4510PBF Транзисторы |
на замовлення 108 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRFB4510PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
MBR20100CTG Код товару: 26154 |
Виробник: ON/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-220
Зворотня напруга, Vrrm: 100 V
Прямий струм (per leg), If: 20 A
Падіння напруги, Vf: 0,8 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 10 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
у наявності: 737 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 26 грн |
10+ | 23.4 грн |
IRF9540NPBF Код товару: 31944 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Id,A: 23 A
Rds(on),Om: 0,117 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
Монтаж: THT
у наявності: 377 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 24.5 грн |
10+ | 21.8 грн |
BZX79-C15 Код товару: 24004 |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 15 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
у наявності: 1894 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 2 грн |
39+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.8 грн |
LTV817S-TA1 [C] Код товару: 31279 |
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 9306 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.9 грн |
1000+ | 4.4 грн |
IRLML9301TRPBF Код товару: 34218 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3,6 A
Rds(on),Om: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 388/4.8
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 57 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 6 грн |
11+ | 4.7 грн |