IRFB4310ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 25450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 78.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB4310ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 127A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRFB4310ZPBF за ціною від 83.23 грн до 275.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 25450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
на замовлення 1283 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 52 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRFB4310ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRFB4310ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
IRFB4310ZPBF Код товару: 145200 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|