![IRFB20N50KPBF IRFB20N50KPBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IRFB20N50KPBF VISHAY
![IRFB20N50K.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 280W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.74 грн |
8+ | 109.62 грн |
22+ | 103.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB20N50KPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB20N50KPBF за ціною від 124.57 грн до 353.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 280W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 280W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 529 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 19991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V |
на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 79 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF Код товару: 35981 |
Виробник : Vishay |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,21 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2870/110 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB20N50KPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |