![IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/3E/EC/00/00/0/52963_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=f8f9bf4b4a4988e252372e306e3ffd2b0a45366f)
IRFB17N50LPBF VISHAY
![IRFB17N50L.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.75 грн |
8+ | 111.07 грн |
21+ | 104.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB17N50LPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFB17N50LPBF за ціною від 75.49 грн до 406.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V |
на замовлення 1557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB17N50LPBF Код товару: 190279 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFB17N50LPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 16 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 220 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 220 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 SVHC: To Be Advised |
товар відсутній |