на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFB11N50APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFB11N50APBF за ціною від 62.05 грн до 172.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 701 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 2751 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF Код товару: 27308 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
|
|
IRFB11N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFB11N50APBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRFB11N50APBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET PLANAR >= 100V |
товар відсутній |