на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 103+ | 117.66 грн |
| 107+ | 113.67 грн |
| 250+ | 110.22 грн |
| 500+ | 103.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z34PBF-BE3 Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 18A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IRF9Z34PBF-BE3 за ціною від 69.3 грн до 130.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z34PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFETs 60V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 4190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9Z34PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9Z34PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z34PBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 60V, 18A, TO-220AB tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9Z34PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |