Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF9Z30PBF
IRF9Z30PBF

IRF9Z30PBF

irlz44.pdf
Код товару: 40285
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 50 V
Id,A: 18 A
Rds(on),Om: 0,14 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 900/28
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна без ПДВ
1+65 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z30PBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Continuous Drain Current, Id:-18A
  • Drain Source Voltage, Vds:-50V
  • On Resistance, Rds(on):0.093ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:-4V
  • Power Dissipation, Pd:74W

Інші пропозиції IRF9Z30PBF за ціною від 69.34 грн до 175.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+76.4 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+98.07 грн
10+ 88.74 грн
25+ 87.85 грн
50+ 83.87 грн
100+ 72.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+105.62 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+137.95 грн
105+ 115.8 грн
Мінімальне замовлення: 88
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay Semiconductors irlz44.pdf MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.73 грн
10+ 112.2 грн
100+ 85.72 грн
250+ 83.63 грн
500+ 73.87 грн
1000+ 73.18 грн
5000+ 69.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014347833-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z30PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, p-Kanal, 50 V, 18 A, 0.093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+164.96 грн
10+ 123.52 грн
100+ 103.2 грн
500+ 86.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay Siliconix irlz44.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.65 грн
50+ 135.69 грн
100+ 111.64 грн
500+ 88.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay irf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF9Z30PBF IRF9Z30PBF Виробник : Vishay sihf9z30.pdf Trans MOSFET P-CH 50V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF9Z30PBF Виробник : VISHAY irlz44.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF9Z30PBF Виробник : VISHAY irlz44.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -18A; Idm: -60A; 74W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

10uF 25V X5R 0805 (GRM21BR61E106KA73L-Murata)
Код товару: 113192
10uF 25V X5R 0805 (GRM21BR61E106KA73L-Murata)
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Діелектрик: X5R
Типорозмір: 0805
у наявності: 2241 шт
Кількість Ціна без ПДВ
20+4.5 грн
100+ 3.6 грн
1000+ 2.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
3,9nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805C392K5RAC7800)
Код товару: 58233		 kemet_x7r _dielectric-datasheet.pdf
3,9nF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805C392K5RAC7800)
Виробник: Kemet
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 3,9 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 3270 шт
Кількість Ціна без ПДВ
80+0.7 грн
100+ 0.6 грн
1000+ 0.5 грн
Мінімальне замовлення: 80
CDRH127/LDNP-1R0NC (1uH, ±20%, Idc=14А, Rdc max/typ=6.5/5 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Код товару: 41277		 CDRH127LD.pdf
CDRH127/LDNP-1R0NC (1uH, ±20%, Idc=14А, Rdc max/typ=6.5/5 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий)
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 1uH, ±20%, Idc=14А, Rdc max/typ=6.5/5 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 14A
у наявності: 206 шт
Кількість Ціна без ПДВ
4+12.5 грн
10+ 10.8 грн
100+ 7.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
SND0705-1R0M (1uH, ±20%, 4.8A, 0.023 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm) Anla Tech (дросель силовий)
Код товару: 39214		 SND-1.pdf
SND0705-1R0M (1uH, ±20%, 4.8A, 0.023 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm) Anla Tech (дросель силовий)
Виробник: AnlaTech/IH
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 1 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна на феритовій гантелі, 1uH, ±20%, Idc=4.8А, Rdc=0.023 Ohm, SMD: 7.8x7.0mm, h=5.0mm
Тип: SND0705
Габарити: 7,8x7,0мм, h=5,0мм
Робочий струм, А: 4.8A
у наявності: 538 шт
Кількість Ціна без ПДВ
7+8 грн
10+ 7.2 грн
100+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 7
100uF 50V EHR 8x12mm (EHR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 18350		 EHR_081225.pdf
100uF 50V EHR 8x12mm (EHR101M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 8х12mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 6680 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
13+4 грн
15+ 3.5 грн
100+ 2.9 грн
1000+ 2.2 грн
Мінімальне замовлення: 13