на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 20.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9Z24PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm.
Інші пропозиції IRF9Z24PBF за ціною від 26.98 грн до 153.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 316 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 60V 11A P-CH MOSFET |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z24PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF9Z24PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -7.7A Power dissipation: 60W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF9Z24PBF |
IRF9Z24PBF Транзисторы MOS FET |
на замовлення 1046 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IRF9Z24PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |