IRF9Z20


sihf9z20.pdf Виробник:

на замовлення 15035 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z20

Description: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9Z20

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9Z20 IRF9Z20 Виробник : Vishay Siliconix sihf9z20.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 9.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товару немає в наявності
IRF9Z20 IRF9Z20 Виробник : Vishay / Siliconix sihf9z20.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRF9Z20PBF
товару немає в наявності