Продукція > VISHAY SILICONIX > IRF9Z14PBF-BE3
IRF9Z14PBF-BE3

IRF9Z14PBF-BE3 Vishay Siliconix

91088.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.02 грн
50+ 43.97 грн
100+ 34.84 грн
500+ 27.72 грн
1000+ 27.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9Z14PBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF9Z14PBF-BE3 за ціною від 36.06 грн до 85.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9Z14PBF-BE3 IRF9Z14PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix 91088.pdf MOSFETs 60V P-CH HEXFET MOSFET
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+85.28 грн
10+ 68.06 грн
100+ 46.46 грн
500+ 39.43 грн
1000+ 36.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9Z14PBF-BE3 IRF9Z14PBF-BE3 Виробник : Vishay 91088.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A
товар відсутній