IRF9953TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 42.32 грн |
| 500+ | 31.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9953TRPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: HEXFET Series, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 2W, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF9953TRPBF за ціною від 31.05 грн до 83.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9953TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9953TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.165 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.165ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: HEXFET Series Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.165ohm Dauer-Drainstrom Id: 2.3A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.165ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 2W SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9953TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 2.3A |
на замовлення 3329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9953TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 2.3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
IRF9953TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
IRF9953TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
товар відсутній |