на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 38.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9640STRRPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRF9640STRRPBF за ціною від 68.42 грн до 172.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9640STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 5198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9640STRRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 11 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IRF9640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF9640STRRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -6.8A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |