![IRF9630SPBF IRF9630SPBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/A8/2E/00/00/0/57994_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=55549db1bb3cf69cf46f82fe25a56068d587bde5)
IRF9630SPBF VISHAY
![IRF9630S.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -4A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 76.43 грн |
10+ | 56.49 грн |
21+ | 42 грн |
56+ | 39.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9630SPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF9630SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRF9630SPBF за ціною від 46.93 грн до 210.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -4A Power dissipation: 74W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 3762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF9630SPBF Код товару: 176782 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF9630SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |