IRF9520SPBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.78 грн |
| 10+ | 46.97 грн |
| 21+ | 40.65 грн |
| 58+ | 38.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9520SPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRF9520SPBF за ціною від 46.17 грн до 136.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF9520SPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.8A; 60W; D2PAK,TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.8A Power dissipation: 60W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V P-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9520SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRF9520SPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |