на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 23.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9510STRLPBF Vishay
Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF9510STRLPBF за ціною від 44.62 грн до 92.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 29704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp |
на замовлення 1114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRF9510STRLPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||
| IRF9510STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| IRF9510STRLPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4A; Idm: -16A; 43W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |