Продукція > VISHAY > IRF9510SPBF
IRF9510SPBF

IRF9510SPBF Vishay

91073.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF9510SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRF9510SPBF за ціною від 28.97 грн до 156.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : VISHAY IRF9510S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.8A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2.8A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+56.15 грн
9+ 40.55 грн
11+ 35.77 грн
28+ 31.14 грн
75+ 28.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : VISHAY IRF9510S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.8A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -2.8A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.38 грн
6+ 50.54 грн
10+ 42.93 грн
28+ 37.37 грн
75+ 34.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : Vishay sihf9510.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+85.1 грн
100+ 67.72 грн
500+ 60.73 грн
1000+ 57.95 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : Vishay sihf9510.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+90.84 грн
167+ 72.28 грн
500+ 64.83 грн
1000+ 61.86 грн
Мінімальне замовлення: 133
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : Vishay Siliconix sihf9510.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.51 грн
10+ 76.33 грн
100+ 60.79 грн
500+ 51.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihf9510.pdf MOSFETs P-Chan 100V 4.0 Amp
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.82 грн
10+ 85.55 грн
100+ 59.02 грн
500+ 55.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013329315-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9510SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 2.8 A, 1.2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+156.76 грн
10+ 113.86 грн
100+ 87.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : Vishay sihf9510.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF9510SPBF IRF9510SPBF Виробник : Vishay sihf9510.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній