Технічний опис IRF9393TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH .
Інші пропозиції IRF9393TRPBFXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF9393TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IRF9393TRPBFXTMA1 |
товар відсутній |
||
| IRF9393TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| IRF9393TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFET TRENCH <= 40V |
товар відсутній |