![IRF9383MTRPBF IRF9383MTRPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/640/IRF6794MTR1PBF.jpg)
IRF9383MTRPBF Infineon Technologies
![irf9383mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561169a11dab](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET P-CH 30V 22A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4800+ | 88.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF9383MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9383MTRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 22 A, 0.0023 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: DirectFET MX, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF9383MTRPBF за ціною від 64.57 грн до 204.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 113W Bauform - Transistor: DirectFET MX Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7305 pF @ 15 V |
на замовлення 11181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRF9383MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |