Продукція > INFINEON > IRF8721TRPBFXTMA1
IRF8721TRPBFXTMA1

IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON

3980137.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.08 грн
500+ 20.04 грн
1000+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF8721TRPBFXTMA1 за ціною від 17.09 грн до 50.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : INFINEON 3980137.pdf Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+33.23 грн
27+ 29.08 грн
100+ 24.08 грн
500+ 20.04 грн
1000+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.51 грн
10+ 42.25 грн
100+ 29.22 грн
500+ 22.91 грн
1000+ 19.5 грн
2000+ 17.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies IRF8721TRPBFXTMA1
товар відсутній
IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies TRENCH <= 40V
товар відсутній
IRF8721TRPBFXTMA1 IRF8721TRPBFXTMA1 Виробник : Infineon Technologies irf8721pbf_1-3223521.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
товар відсутній