![IRF8513PBF IRF8513PBF](/img/so-8.jpg)
IRF8513PBF
![irf8513pbf.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 26536
Виробник: IRUds,V: 30 V
Idd,A: 8-11 A
Rds(on), Ohm: 0,0155 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 766/5,7
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF8513PBF
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF8513PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF8513PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W, 2.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, 11A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 766pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
|
![]() |
IRF8513PBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
товар відсутній |