![IRF840PBF IRF840PBF](/img/to-220.jpg)
IRF840PBF Siliconix
![irf840pbf-datasheet.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 182602
Виробник: SiliconixКорпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності 292 шт:
180 шт - склад
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
41 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32 грн |
10+ | 27.8 грн |
100+ | 25.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF840PBF за ціною від 44.66 грн до 145.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 3064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2026 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840PBF |
![]() |
на замовлення 5041 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 370 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 156105 |
Виробник : Vishay |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 31523 |
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
TLP627 Код товару: 31733 |
![]() |
![]() |
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/150 mA
Uвых,V: 300 V
Ton/Toff,µs: -
Роб.темп.,°С: -
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/150 mA
Uвых,V: 300 V
Ton/Toff,µs: -
Роб.темп.,°С: -
у наявності: 2687 шт
2354 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
96 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
82 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
96 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
82 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 15 грн |
10+ | 13.5 грн |
100+ | 12.2 грн |
4,7uF 350V ECR 10x13mm (ECR4R7M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3132 |
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 µF
Номін.напруга: 350 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 10х13mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 1360 шт
1099 шт - склад
95 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
73 шт - РАДІОМАГ-Одеса
54 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
95 шт - РАДІОМАГ-Київ
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
73 шт - РАДІОМАГ-Одеса
54 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 3.5 грн |
10+ | 3.1 грн |
100+ | 2.7 грн |
1000+ | 2.2 грн |
BYV26C Код товару: 4089 |
![]() |
Виробник: Yangjie/LGE
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-41
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 30 ns
у наявності: 1273 шт
1160 шт - склад
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
51 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
22 шт - РАДІОМАГ-Київ
32 шт - РАДІОМАГ-Львів
51 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 3.5 грн |
10+ | 3.1 грн |
100+ | 2.7 грн |
1000+ | 2.4 грн |
220uH 10% (DR 0912 220uH Bochen) (Idc=1,0А, Rdc max=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9mm, h=12mm) Код товару: 123704 |
![]() |
Виробник: Bochen
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові вивідні
Номінал: 220 µH
Характеристики: Силова, дротова на феритовій гантелі, 220µH±10%, Idc=1.0А, Rdc мax=0.5 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Тип: DR0912
Габарити: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 1 А
у наявності: 450 шт
356 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
14 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Одеса
30 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 9 грн |
PLS-40 штирі на плату 3x6x11,5mm (KLS1-207-1-40-S - KLS) Код товару: 72296 |
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Штирі однорядні на плату прямі, 40 контактів, крок 2,54мм, 3А, покриття: золото 0.8u
Штирі або гнізда: Штирі (вилки)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 40
у наявності: 3144 шт
2383 шт - склад
136 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
275 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
136 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Львів
150 шт - РАДІОМАГ-Одеса
275 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується 26.10.2024
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 6 грн |
10+ | 5 грн |
100+ | 4.2 грн |
1000+ | 3.6 грн |