![IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/e391f27aef3d0057109e8097f52403fac5a07531/91123-pt-large.jpg)
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 77.07 грн |
600+ | 65.7 грн |
1200+ | 58.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840PBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF840PBF-BE3 за ціною від 49.9 грн до 149.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 8845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 3272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF840 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF840PBF-BE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |