Продукція > VISHAY > IRF840PBF-BE3
IRF840PBF-BE3

IRF840PBF-BE3 Vishay

91070.pdf Виробник: Vishay
Transistor, 0.850 Ohm MOSFET
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+77.07 грн
600+ 65.7 грн
1200+ 58.58 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840PBF-BE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRF840PBF-BE3 за ціною від 49.9 грн до 149.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay 91070.pdf Transistor, 0.850 Ohm MOSFET
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+83 грн
600+ 70.75 грн
1200+ 63.09 грн
Мінімальне замовлення: 146
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay 91070.pdf Transistor, 0.850 Ohm MOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+112.5 грн
115+ 105.47 грн
134+ 90 грн
200+ 82.72 грн
Мінімальне замовлення: 108
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix 91070.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 8845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.56 грн
10+ 105.89 грн
100+ 73.1 грн
300+ 67.97 грн
600+ 61.29 грн
1200+ 52.5 грн
2700+ 49.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix 91070.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.01 грн
10+ 104.26 грн
100+ 82.97 грн
500+ 65.88 грн
1000+ 55.9 грн
2000+ 53.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+149.81 грн
10+ 119.06 грн
25+ 115.12 грн
50+ 101.77 грн
100+ 91.24 грн
500+ 86.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF840PBF-BE3 Виробник : Vishay mcbi_nods.pdf Transistor, 0.850 Ohm MOSFET
товар відсутній