Продукція > VISHAY > IRF840LCPBF
IRF840LCPBF

IRF840LCPBF Vishay


91067.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 329 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840LCPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRF840LCPBF за ціною від 52.61 грн до 163 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
213+56.68 грн
Мінімальне замовлення: 213
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+67.5 грн
12+ 52.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+97.53 грн
250+ 89.12 грн
500+ 82.92 грн
750+ 75.41 грн
Мінімальне замовлення: 124
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : Vishay Siliconix 91067.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 5771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.03 грн
50+ 79.62 грн
100+ 65.51 грн
500+ 55.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : Vishay Semiconductors 91067.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 6108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.74 грн
10+ 98.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.22 грн
10+ 100.61 грн
100+ 98.27 грн
500+ 89.8 грн
1000+ 80.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+163 грн
10+ 145.84 грн
25+ 139.6 грн
50+ 122.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Виробник : VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товар відсутній