![IRF840LCPBF IRF840LCPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/7/11/11/18/256779/vsh_/manual/vs-40ctq150-m3.jpg)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840LCPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRF840LCPBF за ціною від 52.61 грн до 163 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840LCPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 5771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товар відсутній |