![IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1207/IRF840ALPBF.jpg)
IRF840LCLPBF Vishay Siliconix
![sihf840l.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.22 грн |
50+ | 106.89 грн |
100+ | 91.62 грн |
500+ | 84.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840LCLPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF840LCLPBF за ціною від 89.2 грн до 150.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840LCLPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
IRF840LCLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
IRF840LCLPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||
IRF840LCLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 28A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
IRF840LCLPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 28A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |