Продукція > VISHAY > IRF840BPBF
IRF840BPBF

IRF840BPBF Vishay


irf840b.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.84 грн
12+ 50.45 грн
25+ 49.95 грн
50+ 47.69 грн
100+ 38.27 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF840BPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції IRF840BPBF за ціною від 35.45 грн до 120.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF840BPBF IRF840BPBF Виробник : Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 5681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.88 грн
50+ 56.87 грн
100+ 45.06 грн
500+ 35.84 грн
1000+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF840BPBF IRF840BPBF Виробник : Vishay Semiconductors irf840b.pdf MOSFETs 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
на замовлення 1833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.44 грн
10+ 62.59 грн
100+ 43.07 грн
500+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF840BPBF IRF840BPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+120.4 грн
10+ 82.87 грн
100+ 63.72 грн
500+ 54.3 грн
1000+ 40.01 грн
5000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF840BPBF IRF840BPBF Виробник : Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF840BPBF IRF840BPBF
Код товару: 105114
irf840b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF840BPBF IRF840BPBF Виробник : Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840BPBF IRF840BPBF Виробник : Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF840BPBF Виробник : VISHAY irf840b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF840BPBF Виробник : VISHAY irf840b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.7A; Idm: 18A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.7A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній