на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 39.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF840ASPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRF840ASPBF за ціною від 54.45 грн до 171.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF840ASPBF | Виробник : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF840ASPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 10740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF840ASPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V |
на замовлення 1546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF840ASPBF (транзистор біполярный NPN) Код товару: 43368 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF840ASPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |