![IRF830PBF IRF830PBF](/img/to-220.jpg)
IRF830PBF Siliconix
![irlz44.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 163342
Виробник: SiliconixUds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності 113 шт:
54 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26 грн |
10+ | 23.4 грн |
100+ | 20.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF830PBF за ціною від 24.05 грн до 109.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 887 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF830PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 6454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 38 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF830PBF Код товару: 17846 |
Виробник : IR |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
HEF40106BT Код товару: 19222 |
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: 6 тригерів Шмідта ТЛ2 -40/+ 85 3-15V
Монтаж: SMD
Живлення,V: 4,5...15 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: 6 тригерів Шмідта ТЛ2 -40/+ 85 3-15V
Монтаж: SMD
Живлення,V: 4,5...15 V
T°C: -40…+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 457 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 12 грн |
10+ | 10.8 грн |
100+ | 9.7 грн |
HEF4093BT.653 Код товару: 37346 |
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
Мікросхеми > Логіка
Корпус: SO-14
Опис: Quad 2-input NAND Schmitt trigger
Монтаж: SMD
Живлення,V: 3...15 V
T°C: -40...+85°C
Тип логіч. елем.: Schmitt trigger
у наявності: 428 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 8.9 грн |
1N4739A Код товару: 29768 |
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 28mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.035 до 0.075 %/°C
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 9,1 V
Струм стабілізації, Izt: 28mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.035 до 0.075 %/°C
у наявності: 980 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 2 грн |
15+ | 1.4 грн |
100+ | 1 грн |
330 kOhm 1% 0,25W вив. Код товару: 92031 |
Виробник: Vitrohm
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 330 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 330 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 1234 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 0.7 грн |
100+ | 0.55 грн |
1000+ | 0.4 грн |
1N4007 Код товару: 176822 |
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 21466 шт
очікується:
50000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 1 грн |
34+ | 0.6 грн |
100+ | 0.5 грн |