![IRF830ALPBF IRF830ALPBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/57/92/01/00/0/1059189_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=782476a044a62dc2d750fa405e4400fa97da01fd)
IRF830ALPBF VISHAY
![sihf830a.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.31 грн |
10+ | 68.24 грн |
16+ | 55.9 грн |
42+ | 52.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF830ALPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF830ALPBF за ціною від 60.11 грн до 173.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF830ALPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 981 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
IRF830ALPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
товар відсутній |