IRF8302MTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 232.07 грн |
| 10+ | 192.25 грн |
| 100+ | 134.73 грн |
| 500+ | 112.86 грн |
| 1000+ | 93.82 грн |
| 2500+ | 89.58 грн |
| 4800+ | 86.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF8302MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8302MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 190 A, 0.0014 ohm, WDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104, Bauform - Transistor: WDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IRF8302MTRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8302MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 190 A, 0.0014 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: WDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
|
|
|
IRF8302MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8302MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 190 A, 0.0014 ohm, WDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8 euEccn: NLR Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: WDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5 Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
|
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товар відсутній |
|
|
|
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 31A 7-Pin Direct-FET MX T/R |
товар відсутній |
|
 |
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|
|
|
IRF8302MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6030 pF @ 15 V |
товар відсутній |