IRF7904TRPBF

IRF7904TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf7904-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7904TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7904TRPBF за ціною від 29.02 грн до 93.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7904pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c7f8c1d33 Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7904-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7904-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS08120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+52.77 грн
500+ 41.52 грн
1000+ 29.35 грн
5000+ 29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7904pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c7f8c1d33 Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A, 11A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 7.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.4 грн
10+ 61.71 грн
100+ 47.96 грн
500+ 38.15 грн
1000+ 31.07 грн
2000+ 29.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7904_DataSheet_v01_01_EN-3362877.pdf MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 7.6A
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.75 грн
10+ 67.88 грн
100+ 45.93 грн
500+ 38.96 грн
1000+ 31.78 грн
2000+ 29.9 грн
4000+ 29.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7904-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
132+91.63 грн
145+ 83.48 грн
179+ 67.87 грн
200+ 61.17 грн
500+ 53.86 грн
1000+ 42.12 грн
Мінімальне замовлення: 132
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : INFINEON IRSDS08120-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7904TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 11 A, 11 A, 0.0086 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0086ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0086ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 48648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+93.82 грн
11+ 72.86 грн
100+ 52.77 грн
500+ 41.52 грн
1000+ 29.35 грн
5000+ 29.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7904-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.6A/11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7904pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.6A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7904TRPBF IRF7904TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7904pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 7.6A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній