Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7862TRPBF
IRF7862TRPBF

IRF7862TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+24.6 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7862TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7862TRPBF за ціною від 27.09 грн до 99.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.97 грн
8000+ 28.4 грн
12000+ 27.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.2 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
227+53.24 грн
246+ 49.12 грн
268+ 45.11 грн
276+ 42.14 грн
500+ 37.58 грн
1000+ 34.7 грн
Мінімальне замовлення: 227
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.43 грн
500+ 43.64 грн
1000+ 29.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4090 pF @ 15 V
на замовлення 16184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.27 грн
10+ 59.01 грн
100+ 45.87 грн
500+ 36.49 грн
1000+ 29.73 грн
2000+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7862-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+79.53 грн
159+ 75.98 грн
Мінімальне замовлення: 152
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7862_DataSheet_v01_01_EN-3363143.pdf MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.3mOhm 30nC Qg
на замовлення 4075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.85 грн
10+ 64.99 грн
100+ 43.93 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 30.36 грн
2000+ 28.54 грн
4000+ 28.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON irf7862pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c68b71d2d Description: INFINEON - IRF7862TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.003 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.35 грн
12+ 70.09 грн
100+ 55.43 грн
500+ 43.64 грн
1000+ 29.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7862pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7862TRPBF IRF7862TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7862pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній