IRF7854TRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 48.73 грн |
| 8000+ | 45.16 грн |
| 12000+ | 43.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7854TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7854TRPBF за ціною від 41.16 грн до 117.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7854TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7854TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 10 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7854TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 10A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V |
на замовлення 16730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7854TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 80V 10A 13.4mOhm 27nC Qg |
на замовлення 5959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7854TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 10A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
IRF7854TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IRF7854TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |