Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF

IRF7853TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7853TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7853TRPBF за ціною від 31.79 грн до 115.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+39.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+40.69 грн
8000+ 37.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+64.81 грн
500+ 50.96 грн
1000+ 44.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
135+90.05 грн
137+ 88.29 грн
171+ 70.75 грн
250+ 67.77 грн
500+ 51.08 грн
1000+ 34.23 грн
Мінімальне замовлення: 135
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 25 V
на замовлення 11091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.76 грн
10+ 77.53 грн
100+ 60.28 грн
500+ 47.95 грн
1000+ 39.06 грн
2000+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 19179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+100.7 грн
122+ 99.29 грн
152+ 79.55 грн
200+ 72.44 грн
500+ 57.45 грн
1000+ 41.08 грн
2000+ 40.82 грн
Мінімальне замовлення: 120
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+101.3 грн
10+ 83.61 грн
25+ 81.98 грн
100+ 63.35 грн
250+ 58.27 грн
500+ 45.54 грн
1000+ 31.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7853_DataSheet_v01_01_EN-3363253.pdf MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg
на замовлення 5036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.89 грн
10+ 84.95 грн
100+ 57.7 грн
500+ 48.85 грн
1000+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON 138199.pdf Description: INFINEON - IRF7853TRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET®, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0144 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.71 грн
10+ 88.34 грн
100+ 64.81 грн
500+ 50.96 грн
1000+ 44.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7853-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7853TRPBF IRF7853TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній