![IRF7821TRPBF IRF7821TRPBF](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4847/448_8-SOIC.jpg)
IRF7821TRPBF Infineon Technologies
![irf7821pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535608d7f31d06](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 30.41 грн |
8000+ | 27.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7821TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V.
Інші пропозиції IRF7821TRPBF за ціною від 23.06 грн до 89.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V |
на замовлення 12198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 22348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 2957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
![]() |
IRF7821TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13.6A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13.6A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |