IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 150.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7769L1TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF7769L1TRPBF за ціною від 141.49 грн до 343.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 15Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm |
на замовлення 5656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 3198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 100V N-CH 142A 3.5 mOhm 200nC |
на замовлення 57130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric L8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric L8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11560 pF @ 25 V |
на замовлення 11696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 0.0028 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 15Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm |
на замовлення 5656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7769L1TRPBF Код товару: 107945 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF7769L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| IRF7769L1TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7769L1TRPBF SMD N channel transistors |
товар відсутній |