IRF7748L1TRPBF INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 148A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
на замовлення 3258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 223.71 грн |
| 500+ | 197.17 грн |
| 1000+ | 172.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7748L1TRPBF INFINEON
Description: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric L6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET L6, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRF7748L1TRPBF за ціною від 172.25 грн до 336.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7748L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 148 A, 0.0022 ohm, DirectFET L6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 148A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Anzahl der Pins: 13Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm |
на замовлення 3258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 60V N-Ch 139A 2.15 mOhm 147nC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
IRF7748L1TRPBF Код товару: 130779 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 28A 13-Pin Direct-FET L6 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IRF7748L1TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF7748L1TRPBF SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
IRF7748L1TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric L6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 148A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 89A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET L6 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8075 pF @ 50 V |
товар відсутній |