IRF7726TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 3249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7726TRPBF Infineon Technologies
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: HEXFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7A, Power dissipation: 1.79W, Case: SO8, Mounting: SMD, Kind of package: reel, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 4000 шт.
Інші пропозиції IRF7726TRPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7726TRPBF | Виробник : Infineon / IR |
 MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 26mOhm 46nC Micro 8 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|
|
IRF7726TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8 |
на замовлення 3249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
IRF7726TRPBF Код товару: 60841 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||
 |
IRF7726TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.79W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|
|
|
IRF7726TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.79W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A Power dissipation: 1.79W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |