IRF7606TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7606TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.075 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: µSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції IRF7606TRPBF за ціною від 15.09 грн до 53.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7606TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.075 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 5887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7606TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.075 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 5887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 20094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.6A 90mOhm 20nC Micro 8 |
на замовлення 7032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V |
на замовлення 8231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
 |
IRF7606TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.8W; Micro8 Mounting: SMD Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: Micro8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF7606TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.8W; Micro8 Mounting: SMD Kind of package: reel Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Case: Micro8 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |