IRF7507TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 13.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7507TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: MSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7507TRPBF за ціною від 12.4 грн до 52.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7507TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 2.4A Micro 8 |
на замовлення 5093 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.4A MICRO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A, 1.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 28683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7507TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.4 A, 2.4 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: MSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF7507TRPBF | Виробник : International Rectifier Corporation |
2 сил. MOSFET P-кан. -20V, 0.27Ом, N-кан. 20V, 0.135Ом, -50...+150, Micro-8 (SMD) |
на замовлення 105 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
IRF7507TRPBF Код товару: 45759 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
IRF7507TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 2.4/-1A; 1.25W; SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 2.4/-1A On-state resistance: 0.135/0.27Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.4A/1.7A 8-Pin Micro T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRF7507TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 2.4/-1A; 1.25W; SO8 Kind of package: reel Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 2.4/-1A On-state resistance: 0.135/0.27Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SO8 |
товар відсутній |