Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7495TRPBF
IRF7495TRPBF

IRF7495TRPBF Infineon Technologies

irf7495.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+30.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7495TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IRF7495TRPBF за ціною від 37.26 грн до 108.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+42.55 грн
8000+ 40.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fff4931c4b Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+43.56 грн
8000+ 39.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 228000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+45.68 грн
8000+ 43.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
233+51.86 грн
234+ 51.66 грн
235+ 51.56 грн
236+ 49.43 грн
Мінімальне замовлення: 233
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+54.49 грн
250+ 49.49 грн
1000+ 41.16 грн
2000+ 37.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : INFINEON 107897.pdf Description: INFINEON - IRF7495TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.3 A, 0.018 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+68.88 грн
50+ 54.49 грн
250+ 49.49 грн
1000+ 41.16 грн
2000+ 37.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fff4931c4b Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 25 V
на замовлення 16095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.54 грн
10+ 82.98 грн
100+ 64.54 грн
500+ 51.34 грн
1000+ 41.82 грн
2000+ 39.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+107.54 грн
118+ 102.73 грн
250+ 98.62 грн
500+ 91.66 грн
1000+ 82.1 грн
2500+ 76.49 грн
Мінімальне замовлення: 113
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7495_DataSheet_v01_01_EN-3362987.pdf MOSFET MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg
на замовлення 27255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+108.14 грн
10+ 96.17 грн
100+ 65.44 грн
500+ 55.13 грн
1000+ 44.88 грн
2000+ 42.16 грн
4000+ 41.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
112+108.65 грн
117+ 103.79 грн
250+ 99.62 грн
500+ 92.6 грн
1000+ 82.94 грн
2500+ 77.27 грн
Мінімальне замовлення: 112
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7495.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7495pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7495TRPBF IRF7495TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7495pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній