Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF7493TRPBF
IRF7493TRPBF

IRF7493TRPBF Infineon Technologies

irf7493.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7493TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRF7493TRPBF за ціною від 33.46 грн до 114.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+40.54 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+47.32 грн
8000+ 43.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+51.79 грн
13+ 49.11 грн
25+ 48.91 грн
100+ 44.25 грн
250+ 40.57 грн
500+ 37.46 грн
1000+ 35.46 грн
3000+ 33.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+52.89 грн
230+ 52.68 грн
245+ 49.42 грн
250+ 47.18 грн
500+ 42.02 грн
1000+ 38.18 грн
3000+ 36.03 грн
Мінімальне замовлення: 229
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+65.28 грн
250+ 57.62 грн
1000+ 42.61 грн
2000+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+65.76 грн
197+ 61.63 грн
210+ 55.54 грн
500+ 51.25 грн
1000+ 47.64 грн
4000+ 44.97 грн
Мінімальне замовлення: 184
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002373289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7493TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 9.3 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+84.43 грн
50+ 65.28 грн
250+ 57.62 грн
1000+ 42.61 грн
2000+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7493_DataSheet_v01_01_EN-3363100.pdf MOSFET MOSFT 80V 9.2A 15mOhm 31nC Qg
на замовлення 7229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.13 грн
10+ 79.74 грн
100+ 56.94 грн
500+ 50.39 грн
1000+ 41.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffcce21c40 Description: MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
на замовлення 8713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.59 грн
10+ 90.09 грн
100+ 70.1 грн
500+ 55.76 грн
1000+ 45.42 грн
2000+ 42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7493.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7493pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7493TRPBF IRF7493TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7493pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній