IRF7480MTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4800+ | 76.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF7480MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IRF7480MTRPBF за ціною від 68.48 грн до 176.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET |
на замовлення 18477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 217A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 132A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 25 V |
на замовлення 17304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
IRF7480MTRPBF Код товару: 200134 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| IRF7480MTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 330A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
товар відсутній |