IRF7471PBF

IRF7471PBF


IRF7471PbF.pdf
Код товару: 23971
Виробник: IR
Uds,V: 40 V
Idd,A: 10 А
Монтаж: SMD
у наявності 32 шт:

11 шт - склад
14 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість Ціна без ПДВ
2+48 грн
10+ 44 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRF7471PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:40V
  • Cont Current Id:10A
  • On State Resistance:0.013ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:3V
  • Case Style:SOIC
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Max Voltage Vds:40V
  • No. of Transistors:1
  • Pin Format:1 S
  • 2 S
  • 3 S
  • 4 G
  • 5 D
  • 6 D
  • 7 D
  • 8 D
  • Power Dissipation:2.5W
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:83A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF7471PBF
  • Transistor Case Style:SOIC

Інші пропозиції IRF7471PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7471PBF IRF7471PBF Виробник : Infineon Technologies irf7471pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7471PBF IRF7471PBF Виробник : Infineon Technologies IRF7471PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
товар відсутній
IRF7471PBF IRF7471PBF Виробник : Infineon / IR irf7471-1169301.pdf MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC
товар відсутній

З цим товаром купують

49,9 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-49R9-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 27783
RC_series.pdf
49,9 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-49R9-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 49,9 Ohm
Точність: ±1% F
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 3479 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
400+0.15 грн
1000+ 0.12 грн
10000+ 0.09 грн
Мінімальне замовлення: 400
Роз'єм GX16-5 (MIC335 Гніздо для мікрофона (5pin, на корпус)
Код товару: 26350
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Роз'єми колоподібні (силові, мікрофонні)
Тип: GX16 Роз'єми промислові IP55
Опис: Гніздо для мікрофона (5 контактів, на корпус)
Гніздо або штекер: Гніздо (вилка всередині)
К-сть контактів: 5
Вид: на панель
у наявності: 15 шт
очікується: 800 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+26 грн
10+ 24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF7416TRPBF
Код товару: 25625
irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 158 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
BZX84-C13
Код товару: 24886
BZX84.pdf
BZX84-C13
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 13 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 9.4mV/K
у наявності: 1302 шт
Кількість Ціна без ПДВ
20+2.5 грн
34+ 1.5 грн
100+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 20
39 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-39K0-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 4636
rc_series_hitano-datasheet.pdf
39 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-39K0-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 1487 шт
очікується: 20000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
500+0.1 грн
1000+ 0.06 грн
10000+ 0.04 грн
Мінімальне замовлення: 500