Технічний опис IRF7465TRPBFXTMA1 Infineon Technologies
Description: PLANAR 40.
Інші пропозиції IRF7465TRPBFXTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF7465TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies | IRF7465TRPBFXTMA1 |
товар відсутній |
||
| IRF7465TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: PLANAR 40<-<100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1.14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| IRF7465TRPBFXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 MOSFETs Y |
товар відсутній |