Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IRF7420TRPBF
IRF7420TRPBF

IRF7420TRPBF

irf7420pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fade041bcc
Код товару: 195254
Виробник: IR
Корпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 9,8 A
Rds(on),Om: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
Монтаж: SMD
у наявності 192 шт:
157 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+38 грн
10+ 33.5 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Можливі заміни IRF7420TRPBF IR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7420 IRF7420
Код товару: 22021 		Виробник : IR irf7420.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 12 V
Id,A: 11,5 A
Rds(on),Om: 0,026 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3529/38
Монтаж: SMD
у наявності: 22 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+44 грн
10+ 39.6 грн

Інші пропозиції IRF7420TRPBF за ціною від 50.91 грн до 80.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7420-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+80.78 грн
10+ 72.61 грн
25+ 71.88 грн
50+ 68.62 грн
100+ 50.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7420-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7420TRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irf7420pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fade041bcc MOSFET P-CH 12V 11.5A SOIC-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irf7420-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 11.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7420pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -11.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7420pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fade041bcc Description: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товар відсутній
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : Infineon Technologies irf7420pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fade041bcc Description: MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3529 pF @ 10 V
товар відсутній
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRF7420_DataSheet_v01_01_EN-3363178.pdf MOSFET MOSFT PCh -12V -11.5A 14mOhm 38nC
товар відсутній
IRF7420TRPBF IRF7420TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irf7420pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -11.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -11.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній

З цим товаром купують

Гніздо USBA-1J вертикальний (KLS1-181B-W)
Код товару: 44842		 kls1-181b-w-datasheet.pdf
Гніздо USBA-1J вертикальний (KLS1-181B-W)
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Гніздо USB тип А з вертикальною установкою на плату
Тип: USB-A
Вилка/гніздо: Гніздо
Мех.монтаж: на плату
Електр.монтаж: THT
Орієнтація в просторі: Вертикальний
у наявності: 783 шт
473 шт - склад
55 шт - РАДІОМАГ-Київ
51 шт - РАДІОМАГ-Львів
32 шт - РАДІОМАГ-Одеса
172 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1050 шт
50 шт - очікується
1000 шт - очікується
Кількість Ціна без ПДВ
5+4 грн
10+ 3.3 грн
100+ 2.7 грн
1000+ 2 грн
Мінімальне замовлення: 5