![IRF740SPBF IRF740SPBF](/img/d2pak.jpg)
IRF740SPBF
![sihf740s.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Код товару: 32580
Виробник: IRUds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,48 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/35
Монтаж: SMD
у наявності 9 шт:
2 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRF740SPBF IR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF740SPBF Код товару: 154285 |
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 400 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 72 шт
|
|
Інші пропозиції IRF740SPBF за ціною від 49.27 грн до 189.22 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF740SPBF Код товару: 154285 |
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 400 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 72 шт
|
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 821 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740SPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 1313 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRF740SPBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 274 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF740SPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 49 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
NE555P Код товару: 26138 |
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: DIP-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5...16В; 500 кГц
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 1601 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 8 грн |
10+ | 7.2 грн |
100+ | 6.5 грн |
1000+ | 5.8 грн |
CDRH127/LDNP-221MC (220uH, ±20%, Idc=1.45А, Rdc max/typ=338/260 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm) Sumida (дросель силовий) Код товару: 41278 |
![]() |
Виробник: Sumida
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 220uH, ±20%, Idc=1.45А, Rdc max/typ=338/260 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 1.45A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 220 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, дротяна в броньовому феритовому осерді, 220uH, ±20%, Idc=1.45А, Rdc max/typ=338/260 mOhm, SMD: 12.3x12.3mm, h=8.0mm
Тип: CDRH127
Габарити: 12,3x12,3мм, h=8,0мм
Робочий струм, А: 1.45A
у наявності: 898 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 12.5 грн |
10+ | 10.8 грн |
100+ | 7.7 грн |
BC846A Код товару: 122722 |
![]() |
Виробник: Hottech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 220
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 65 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 220
Монтаж: SMD
у наявності: 471 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 1.5 грн |
63+ | 0.8 грн |
100+ | 0.5 грн |
NE555D Код товару: 153317 |
![]() ![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Таймери
Корпус: SO-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5... 16В
Темп. діапазон: 0...+70°C
Мікросхеми > Таймери
Корпус: SO-8
Опис: Таймер 1 вихід; 4.5... 16В
Темп. діапазон: 0...+70°C
у наявності: 2264 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 6.5 грн |
10+ | 5.7 грн |
100+ | 4.9 грн |
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1768 |
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 58282 шт
очікується:
100000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 0.12 грн |
1000+ | 0.09 грн |
10000+ | 0.07 грн |