![IRF740LCPBF IRF740LCPBF](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2020/1/7/11/11/18/256779/vsh_/manual/vs-40ctq150-m3.jpg)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 35.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRF740LCPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRF740LCPBF за ціною від 44.18 грн до 172.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF740LCPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF Код товару: 89068 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
IRF740LCPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |